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DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333

não conforme

DMN3009SFG-7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.84000 $0.84
500 $0.8316 $415.8
1000 $0.8232 $823.2
1500 $0.8148 $1222.2
2000 $0.8064 $1612.8
2500 $0.798 $1995
1500 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Ta), 45A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2000 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 900mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerDI3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

3400L
3400L
$0 $/pedaço
NTH4L067N65S3H
NTH4L067N65S3H
$0 $/pedaço
SQJ138EP-T1_GE3
IRF730
IRF730
$0 $/pedaço
SQW33N65EF-GE3
SQW33N65EF-GE3
$0 $/pedaço
SIHU2N80AE-GE3
SIHU2N80AE-GE3
$0 $/pedaço
RJK5030DPD-03#J2
RJK5030DPD-03#J2
$0 $/pedaço
R8002ANJGTL
R8002ANJGTL
$0 $/pedaço

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