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HUF76139S3ST

HUF76139S3ST

HUF76139S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

HUF76139S3ST Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
1950 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 75A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2700 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 165W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263AB
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRF7480MTRPBF
STP18N60M2
STP18N60M2
$0 $/pedaço
NTD4858N-35G
NTD4858N-35G
$0 $/pedaço
SUM40012EL-GE3
SUM40012EL-GE3
$0 $/pedaço
IRFP150NPBF
SIHFPS37N50A-GE3
FDMC3612
FDMC3612
$0 $/pedaço
IPU80R1K4CEBKMA1
IXFX180N10
IXFX180N10
$0 $/pedaço

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