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FDD6N20TF

FDD6N20TF

FDD6N20TF

MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK

compliant

FDD6N20TF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
1929 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 800mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.1 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 230 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 40W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SQA470EEJ-T1_GE3
NTMFS5C628NLT1G
NTMFS5C628NLT1G
$0 $/pedaço
SUD19P06-60L-E3
FQA14N30
IXFN140N25T
IXFN140N25T
$0 $/pedaço
APT50M85JVFR
NTD6N40T4
NTD6N40T4
$0 $/pedaço
STP5N95K5
STP5N95K5
$0 $/pedaço
SIHG35N60EF-GE3

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