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FDD6676S

FDD6676S

FDD6676S

N-CHANNEL POWER MOSFET

SOT-23

não conforme

FDD6676S Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
10684 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 78A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4770 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.3W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

HUF75645S3ST
HUF75645S3ST
$0 $/pedaço
IXTA96P085T
IXTA96P085T
$0 $/pedaço
IXTN8N150L
IXTN8N150L
$0 $/pedaço
IRF7855TRPBF
IXFA22N65X2
IXFA22N65X2
$0 $/pedaço
FDBL0200N100
FDBL0200N100
$0 $/pedaço
EPC2214
EPC2214
$0 $/pedaço
DMN6140L-13
DMN6140L-13
$0 $/pedaço
DMP3007LK3-13

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