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FDD6670S

FDD6670S

FDD6670S

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

FDD6670S Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
47486 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 64A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2010 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.3W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

STH175N4F6-6AG
MMIX1F360N15T2
MMIX1F360N15T2
$0 $/pedaço
IRFR5505TRLPBF
BS870Q-7-F
BS870Q-7-F
$0 $/pedaço
NVTFS6H850NWFTAG
NVTFS6H850NWFTAG
$0 $/pedaço
IPB60R045P7ATMA1
FDD6030BL
IXTP6N100D2
IXTP6N100D2
$0 $/pedaço
XP162A12A6PR-G

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