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SUP70040E-GE3

SUP70040E-GE3

SUP70040E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

não conforme

SUP70040E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.39000 $3.39
10 $3.02500 $30.25
100 $2.48050 $248.05
500 $2.00860 $1004.3
1,000 $1.69400 -
2,500 $1.60930 -
5,000 $1.54880 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5100 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SIB417EDK-T1-GE3
MTB4N50ET4
MTB4N50ET4
$0 $/pedaço
HUFA75339P3
IRFU7740PBF
APT60M75JFLL
IXTH130N20T
IXTH130N20T
$0 $/pedaço
SQJA12EP-T1_GE3
IXTT360N055T2
IXTT360N055T2
$0 $/pedaço

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