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SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6

não conforme

SIB417EDK-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.44280 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 8 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.2V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 58mOhm @ 5.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 565 pF @ 4 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-75-6
pacote / caixa PowerPAK® SC-75-6
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Número da peça relacionada

MTB4N50ET4
MTB4N50ET4
$0 $/pedaço
HUFA75339P3
IRFU7740PBF
APT60M75JFLL
IXTH130N20T
IXTH130N20T
$0 $/pedaço
SQJA12EP-T1_GE3
IXTT360N055T2
IXTT360N055T2
$0 $/pedaço

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