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SUP50020E-GE3

SUP50020E-GE3

SUP50020E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

não conforme

SUP50020E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.24000 $3.24
10 $2.89600 $28.96
100 $2.37450 $237.45
500 $1.92278 $961.39
1,000 $1.62162 -
2,500 $1.54054 -
5,000 $1.48262 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 128 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FDD6682
FDD6682
$0 $/pedaço
IXTK120P20T
IXTK120P20T
$0 $/pedaço
IPT65R033G7XTMA1
ZVN4210GTA
ZVN4210GTA
$0 $/pedaço
AUIRF3805STRL
NTE2973
NTE2973
$0 $/pedaço
IXTH80N075L2
IXTH80N075L2
$0 $/pedaço
APT10035JFLL

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