Welcome to ichome.com!
| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | P-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 200 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 120A (Tc) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | - |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 30mOhm @ 60A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 4.5V @ 250µA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 740 nC @ 10 V |
| vgs (máx.) | - |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 73000 pF @ 25 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | - |
| temperatura de operação | - |
| tipo de montagem | Through Hole |
| pacote de dispositivo do fornecedor | TO-264 (IXTK) |
| pacote / caixa | TO-264-3, TO-264AA |
Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.