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IRF5803TRPBF

IRF5803TRPBF

IRF5803TRPBF

MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6

não conforme

IRF5803TRPBF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.23214 -
6,000 $0.21866 -
15,000 $0.20519 -
30,000 $0.19576 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 112mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1110 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor Micro6™(TSOP-6)
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

STW31N65M5
STW31N65M5
$0 $/pedaço
IXTN102N65X2
IXTN102N65X2
$0 $/pedaço
IRF1010ESTRLPBF
RM4N650TI
RM4N650TI
$0 $/pedaço
R6015ENX
R6015ENX
$0 $/pedaço
IXTK120N25P
IXTK120N25P
$0 $/pedaço
SIR401DP-T1-GE3
IPD65R600C6BTMA1

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