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SUM50020E-GE3

SUM50020E-GE3

SUM50020E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 120A TO263

não conforme

SUM50020E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.81913 $1455.304
1,600 $1.70478 -
2,400 $1.62474 -
5,600 $1.56757 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 128 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11150 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

ECH8420-TL-H
ECH8420-TL-H
$0 $/pedaço
SI2316DS-T1-E3
SI2316DS-T1-E3
$0 $/pedaço
STF6N65K3
STF6N65K3
$0 $/pedaço
CSD16414Q5
CSD16414Q5
$0 $/pedaço
SI4864DY-T1-GE3
FCPF1300N80ZYD
C3M0015065K
C3M0015065K
$0 $/pedaço
SI7858ADP-T1-GE3

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