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SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

não conforme

SI2316DS-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.27466 -
6,000 $0.25572 -
15,000 $0.24625 -
30,000 $0.24108 -
86 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 50mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 800mV @ 250µA (Min)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 215 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 700mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

STF6N65K3
STF6N65K3
$0 $/pedaço
CSD16414Q5
CSD16414Q5
$0 $/pedaço
SI4864DY-T1-GE3
FCPF1300N80ZYD
C3M0015065K
C3M0015065K
$0 $/pedaço
SI7858ADP-T1-GE3
NTMFS5C410NLT1G
NTMFS5C410NLT1G
$0 $/pedaço
STB100N10F7
STB100N10F7
$0 $/pedaço

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