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STB100N10F7

STB100N10F7

STB100N10F7

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

SOT-23

não conforme

STB100N10F7 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.36196 -
2,000 $1.27803 -
5,000 $1.23606 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4369 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NVTFS5116PLTAG
NVTFS5116PLTAG
$0 $/pedaço
IPU60R2K1CEBKMA1
IRF7580MTRPBF
BUK6607-55C,118
STP7N60M2
STP7N60M2
$0 $/pedaço
STW63N65DM2
STW63N65DM2
$0 $/pedaço
FQP44N08
SIS890DN-T1-GE3

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