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SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8

compliant

SIS890DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.66420 -
6,000 $0.63302 -
15,000 $0.61074 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 23.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 802 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8
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Número da peça relacionada

IRF820ALPBF
IRF820ALPBF
$0 $/pedaço
STD12NF06L-1
STD12NF06L-1
$0 $/pedaço
FDD2670
FDD2670
$0 $/pedaço
IXFA50N20X3
IXFA50N20X3
$0 $/pedaço
IXTA1R4N120P
IXTA1R4N120P
$0 $/pedaço
FDB035N10A
FDB035N10A
$0 $/pedaço
SQ2315ES-T1_BE3

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