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SUD19P06-60-E3

SUD19P06-60-E3

SUD19P06-60-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252

compliant

SUD19P06-60-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $0.55760 -
6,000 $0.53142 -
10,000 $0.51272 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 60mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1710 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SI3437DV-T1-GE3
APT37F50B
APT37F50B
$0 $/pedaço
FCPF850N80Z
FCPF850N80Z
$0 $/pedaço
NX3008PBKMB,315
NX3008PBKMB,315
$0 $/pedaço
NTMS3P03R2
NTMS3P03R2
$0 $/pedaço
IRFBC40ASPBF
IRFBC40ASPBF
$0 $/pedaço
SIS407ADN-T1-GE3

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