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FCPF850N80Z

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 6A TO220F

SOT-23

não conforme

FCPF850N80Z Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.94074 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 600µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1315 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 28.4W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F-3
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

NX3008PBKMB,315
NX3008PBKMB,315
$0 $/pedaço
NTMS3P03R2
NTMS3P03R2
$0 $/pedaço
IRFBC40ASPBF
IRFBC40ASPBF
$0 $/pedaço
SIS407ADN-T1-GE3
GT650N15K
GT650N15K
$0 $/pedaço
BUK78150-55A/CUF
STF13N60DM2
STF13N60DM2
$0 $/pedaço

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