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SQS660CENW-T1_GE3

SQS660CENW-T1_GE3

SQS660CENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

SOT-23

não conforme

SQS660CENW-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.99000 $0.99
500 $0.9801 $490.05
1000 $0.9702 $970.2
1500 $0.9603 $1440.45
2000 $0.9504 $1900.8
2500 $0.9405 $2351.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.2mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1950 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 62.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8W
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8W
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Número da peça relacionada

DMP6350S-13
DMP6350S-13
$0 $/pedaço
5HP01M-TL-E
5HP01M-TL-E
$0 $/pedaço
IRF3205ZPBF
DMG4712SSS-13
BS107PSTZ
BS107PSTZ
$0 $/pedaço
CSD17579Q5AT
CSD17579Q5AT
$0 $/pedaço
FQB6N60TM
SQP50P03-07_GE3

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