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AOI11S60

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MOSFET N-CH 600V 11A TO251A

SOT-23

não conforme

AOI11S60 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,500 $1.22595 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 399mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 545 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 208W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251A
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

CSD17579Q5AT
CSD17579Q5AT
$0 $/pedaço
FQB6N60TM
SQP50P03-07_GE3
FQPF13N50C-ON
FQPF13N50C-ON
$0 $/pedaço
SI2343CDS-T1-GE3
NTD4863NAT4G
NTD4863NAT4G
$0 $/pedaço
FQPF85N06
FQPF85N06
$0 $/pedaço
IXFP30N25X3M
IXFP30N25X3M
$0 $/pedaço
FDD2572
FDD2572
$0 $/pedaço

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