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SQS460ENW-T1_GE3

SQS460ENW-T1_GE3

SQS460ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W

compliant

SQS460ENW-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.39663 -
6,000 $0.37089 -
15,000 $0.35802 -
30,000 $0.35100 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 36mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 755 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8W
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8W
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Número da peça relacionada

MTW16N40E
MTW16N40E
$0 $/pedaço
IXTA20N65X2
IXTA20N65X2
$0 $/pedaço
IRFP3710PBF
STD9NM60N
STD9NM60N
$0 $/pedaço
MMSF4N01HDR2
MMSF4N01HDR2
$0 $/pedaço
IRF9Z24PBF
IRF9Z24PBF
$0 $/pedaço
IRFS3307ZTRLPBF

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