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STD9NM60N

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MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK

não conforme

STD9NM60N Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.98010 -
5,000 $0.94380 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 745mOhm @ 3.25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17.4 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 452 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 70W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

MMSF4N01HDR2
MMSF4N01HDR2
$0 $/pedaço
IRF9Z24PBF
IRF9Z24PBF
$0 $/pedaço
IRFS3307ZTRLPBF
SIR104DP-T1-RE3
SPP04N80C3XKSA1
IRF640NSPBF
FQU9N25TU
FQU9N25TU
$0 $/pedaço
STF26NM60N
STF26NM60N
$0 $/pedaço

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