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SIR104DP-T1-RE3

SIR104DP-T1-RE3

SIR104DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK

não conforme

SIR104DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.27323 -
6,000 $1.22905 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18.3A (Ta), 79A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4230 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.4W (Ta), 100W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SPP04N80C3XKSA1
IRF640NSPBF
FQU9N25TU
FQU9N25TU
$0 $/pedaço
STF26NM60N
STF26NM60N
$0 $/pedaço
STL90N6F7
STL90N6F7
$0 $/pedaço
IXFK120N30T
IXFK120N30T
$0 $/pedaço
DMS2120LFWB-7
IRFR5410TRPBF

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