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SQS407ENW-T1_GE3

SQS407ENW-T1_GE3

SQS407ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W

compliant

SQS407ENW-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.41697 -
6,000 $0.38991 -
15,000 $0.37638 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10.8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4572 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 62.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8W
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8W
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Número da peça relacionada

NTMFS4C09NT1G
NTMFS4C09NT1G
$0 $/pedaço
FQA160N08
FQA160N08
$0 $/pedaço
IRFR4105ZTRPBF
SI3456DDV-T1-GE3
IRFR9120TRLPBF-BE3
STD15NF10T4
STD15NF10T4
$0 $/pedaço

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