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SI3456DDV-T1-GE3

SI3456DDV-T1-GE3

SI3456DDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP

compliant

SI3456DDV-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.13405 -
6,000 $0.12635 -
15,000 $0.11865 -
30,000 $0.10941 -
75,000 $0.10556 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 40mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 325 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-TSOP
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

IRFR9120TRLPBF-BE3
STD15NF10T4
STD15NF10T4
$0 $/pedaço
RF1K4915796
SQJ465EP-T1_GE3
IRF620SPBF
IRF620SPBF
$0 $/pedaço
STP315N10F7
STP315N10F7
$0 $/pedaço
IRFB7540PBF
SQJ147ELP-T1_GE3

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