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SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8

compliant

SQJ465EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.57400 -
6,000 $0.54705 -
15,000 $0.52780 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1140 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TA)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IRF620SPBF
IRF620SPBF
$0 $/pedaço
STP315N10F7
STP315N10F7
$0 $/pedaço
IRFB7540PBF
SQJ147ELP-T1_GE3
NTMFS4841NHT1G
NTMFS4841NHT1G
$0 $/pedaço
MCM1216-TP
MCM1216-TP
$0 $/pedaço

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