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SQM50N04-4M1_GE3

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SQM50N04-4M1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 50A TO263

não conforme

SQM50N04-4M1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.34400 $1075.2
1,600 $1.23341 -
2,400 $1.14835 -
5,600 $1.10582 -
15 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6715 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FDD6N50FTM
FDD6N50FTM
$0 $/pedaço
IXTA70N075T2-TRL
IXTA70N075T2-TRL
$0 $/pedaço
RM90N40DF
RM90N40DF
$0 $/pedaço
RUL035N02FRATR
BSC024NE2LSATMA1
DMN2058U-13
DMN2058U-13
$0 $/pedaço
IXTP48P05T
IXTP48P05T
$0 $/pedaço

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