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BSC024NE2LSATMA1

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MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON

não conforme

BSC024NE2LSATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.40233 -
10,000 $0.38720 -
25,000 $0.38500 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Ta), 110A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1700 pF @ 12 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8-5
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

DMN2058U-13
DMN2058U-13
$0 $/pedaço
IXTP48P05T
IXTP48P05T
$0 $/pedaço
BUK9E1R9-40E,127
BUK9E1R9-40E,127
$0 $/pedaço
NTLUS3192PZTBG
NTLUS3192PZTBG
$0 $/pedaço
FDWS86369-F085
FDWS86369-F085
$0 $/pedaço
SI4835DDY-T1-GE3
PMN34LN,135
PMN34LN,135
$0 $/pedaço

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