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FDWS86369-F085

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 65A POWER56

não conforme

FDWS86369-F085 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.62262 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 65A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 65A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2470 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 107W (Tj)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor Power56
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SI4835DDY-T1-GE3
PMN34LN,135
PMN34LN,135
$0 $/pedaço
STI400N4F6
STI400N4F6
$0 $/pedaço
SIHB24N65EF-GE3
SIHH11N60EF-T1-GE3
VP3203N3-G
VP3203N3-G
$0 $/pedaço
SUM110N10-09-E3
FQP7N20
FQP7N20
$0 $/pedaço
IXTA100N04T2-TRL
IXTA100N04T2-TRL
$0 $/pedaço

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