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SQM50020EL_GE3

SQM50020EL_GE3

SQM50020EL_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 120A TO263

compliant

SQM50020EL_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.78200 $1425.6
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 15100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NVHL080N120SC1A
NVHL080N120SC1A
$0 $/pedaço
SI4477DY-T1-GE3
AUIRFB8407
STB140NF55T4
STB140NF55T4
$0 $/pedaço
IPD075N03LGATMA1
FDD8780
FDD8780
$0 $/pedaço
IRLZ34NSTRLPBF

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