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FDD8780

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

FDD8780 Ficha de dados

compliant

FDD8780 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.33016 -
5,000 $0.30740 -
12,500 $0.29601 -
25,000 $0.28980 -
1004555 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1440 pF @ 13 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRLZ34NSTRLPBF
FDP80N06
FDP80N06
$0 $/pedaço
630A
630A
$0 $/pedaço
PMZB600UNELYL
PMZB600UNELYL
$0 $/pedaço
SIHF12N65E-GE3
SIHF12N65E-GE3
$0 $/pedaço
SI7880ADP-T1-E3

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