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SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 12A TO220

compliant

SIHF12N65E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.89000 $2.89
10 $2.62400 $26.24
100 $2.12440 $212.44
500 $1.67062 $835.31
1,000 $1.39838 -
3,000 $1.30763 -
5,000 $1.26225 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1224 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 33W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220 Full Pack
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

SI7880ADP-T1-E3
SPP24N60C3XKSA1
IRLR3410TRRPBF
IRLI3705NPBF
IRLU014PBF
IRLU014PBF
$0 $/pedaço
PSMN014-80YLX
PSMN014-80YLX
$0 $/pedaço
IXTQ16N50P
IXTQ16N50P
$0 $/pedaço
IXFN170N10
IXFN170N10
$0 $/pedaço

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