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IXFN170N10

IXFN170N10

IXFN170N10

IXYS

MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B

não conforme

IXFN170N10 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $34.94600 $349.46
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 170A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 515 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 600W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

DMG2302UQ-13
NVTFS6H880NWFTAG
NVTFS6H880NWFTAG
$0 $/pedaço
RQ3E120BNTB
RQ3E120BNTB
$0 $/pedaço
FQD3N50CTF
STB60NF06LT4
STB60NF06LT4
$0 $/pedaço
STB35N65DM2
STB35N65DM2
$0 $/pedaço
RQ5A025ZPTL
RQ5A025ZPTL
$0 $/pedaço
IPP50R380CEXKSA1

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