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SQM40041EL_GE3

SQM40041EL_GE3

SQM40041EL_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 120A TO263

não conforme

SQM40041EL_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.94000 $2.94
500 $2.9106 $1455.3
1000 $2.8812 $2881.2
1500 $2.8518 $4277.7
2000 $2.8224 $5644.8
2500 $2.793 $6982.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 450 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 23600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 157W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

RM180N60T2
RM180N60T2
$0 $/pedaço
SIHA15N65E-GE3
SIHA15N65E-GE3
$0 $/pedaço
MCH6353-TL-W
MCH6353-TL-W
$0 $/pedaço
IRF7779L2TRPBF
SIDR220DP-T1-RE3
IRFL9014TRPBF
IRFL9014TRPBF
$0 $/pedaço
FQT5P10TF
FQT5P10TF
$0 $/pedaço
IXFH86N30T
IXFH86N30T
$0 $/pedaço
FQPF9N25CYDTU

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