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FQT5P10TF

FQT5P10TF

FQT5P10TF

onsemi

MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

compliant

FQT5P10TF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
4,000 $0.25081 -
8,000 $0.23463 -
12,000 $0.21844 -
28,000 $0.20712 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.05Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.2 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 250 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-223-4
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

IXFH86N30T
IXFH86N30T
$0 $/pedaço
FQPF9N25CYDTU
IRF840ALPBF
IRF840ALPBF
$0 $/pedaço
STF17N62K3
STF17N62K3
$0 $/pedaço
SISHA10DN-T1-GE3
NTD4804NT4G
NTD4804NT4G
$0 $/pedaço
PMPB23XNEZ
PMPB23XNEZ
$0 $/pedaço

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