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SQM120N04-1M9_GE3

SQM120N04-1M9_GE3

SQM120N04-1M9_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

não conforme

SQM120N04-1M9_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.65000 $1320
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8790 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIDR402DP-T1-GE3
BUK9Y41-80E,115
2SK1459LS
2SK1459LS
$0 $/pedaço
FDD86369-F085
FDD86369-F085
$0 $/pedaço
IRFR430ATRLPBF
IRFR430ATRLPBF
$0 $/pedaço
RD3T075CNTL1
RD3T075CNTL1
$0 $/pedaço
NDB4060
NDB4060
$0 $/pedaço
NVH4L045N065SC1
NVH4L045N065SC1
$0 $/pedaço
DMT6004SCT
DMT6004SCT
$0 $/pedaço

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