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SIDR402DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3

SIDR402DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK

compliant

SIDR402DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.30525 -
6,000 $1.25996 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 64.6A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.88mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 165 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9100 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

BUK9Y41-80E,115
2SK1459LS
2SK1459LS
$0 $/pedaço
FDD86369-F085
FDD86369-F085
$0 $/pedaço
IRFR430ATRLPBF
IRFR430ATRLPBF
$0 $/pedaço
RD3T075CNTL1
RD3T075CNTL1
$0 $/pedaço
NDB4060
NDB4060
$0 $/pedaço
NVH4L045N065SC1
NVH4L045N065SC1
$0 $/pedaço
DMT6004SCT
DMT6004SCT
$0 $/pedaço

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