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SQM10250E_GE3

SQM10250E_GE3

SQM10250E_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 65A TO263

compliant

SQM10250E_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.65805 $1326.44
1,600 $1.52163 -
2,400 $1.41669 -
5,600 $1.36422 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 65A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4050 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 375W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NVTFS6H860NTAG
NVTFS6H860NTAG
$0 $/pedaço
STW56N65DM2
STW56N65DM2
$0 $/pedaço
SIHG17N80E-GE3
SIHG17N80E-GE3
$0 $/pedaço
BSZ0704LSATMA1
FDBL9406-F085T6
FDBL9406-F085T6
$0 $/pedaço
FDB9403L-F085
NTD20N03L27-1G
NTD20N03L27-1G
$0 $/pedaço
NTD4809NA-1G
NTD4809NA-1G
$0 $/pedaço
R6007ENJTL
R6007ENJTL
$0 $/pedaço

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