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R6007ENJTL

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R6007ENJTL

MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

compliant

R6007ENJTL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.79750 -
2,000 $0.77000 -
658 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 390 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 40W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LPTS
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SQ3425EV-T1_BE3
DMP2067LSS-13
IPA60R299CPXKSA1
IRF7326D2TRPBF
NVTFS8D1N08HTAG
NVTFS8D1N08HTAG
$0 $/pedaço
FDD6676
FDD6676
$0 $/pedaço
IXFT80N65X2HV-TRL
IXFT80N65X2HV-TRL
$0 $/pedaço
DMN62D4LFB-7B
IRLS540A

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