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FDD6676

FDD6676

FDD6676

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDD6676 Ficha de dados

compliant

FDD6676 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.77000 $0.77
500 $0.7623 $381.15
1000 $0.7546 $754.6
1500 $0.7469 $1120.35
2000 $0.7392 $1478.4
2500 $0.7315 $1828.75
8182 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 78A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 16.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5103 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IXFT80N65X2HV-TRL
IXFT80N65X2HV-TRL
$0 $/pedaço
DMN62D4LFB-7B
IRLS540A
DMP2160UW-7
DMP2160UW-7
$0 $/pedaço
IRFP048NPBF
SI4455DY-T1-GE3
CSD17551Q5A
CSD17551Q5A
$0 $/pedaço
IRFR421
IRFR421
$0 $/pedaço

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