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SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8

compliant

SQJ872EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.57072 -
6,000 $0.54392 -
15,000 $0.52478 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 24.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 35.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1045 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 55W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

BUK761R7-40E,118
IRFB7787PBF
STB10N65K3
STB10N65K3
$0 $/pedaço
IXFR44N50Q3
IXFR44N50Q3
$0 $/pedaço
DMN3404L-7
DMN3404L-7
$0 $/pedaço
IRFH7110TRPBF
SQJ142ELP-T1_GE3
IPB60R180C7ATMA1
IPZ60R017C7XKSA1

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