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IPZ60R017C7XKSA1

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IPZ60R017C7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4

não conforme

IPZ60R017C7XKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
240 $18.21408 $4371.3792
16692 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 109A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 17mOhm @ 58.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 2.91mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9890 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 446W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO247-4
pacote / caixa TO-247-4
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Número da peça relacionada

IXFA80N25X3
IXFA80N25X3
$0 $/pedaço
NTTFSC4821NTAG
NTTFSC4821NTAG
$0 $/pedaço
FQI50N06LTU
BUK6D120-60PX
BUK6D120-60PX
$0 $/pedaço
FDD18N20LZ
FDD18N20LZ
$0 $/pedaço
FDS3512
FDS3512
$0 $/pedaço
IXFK24N100
IXFK24N100
$0 $/pedaço
MCS2305B-TP
MCS2305B-TP
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CSD13381F4T
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