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SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

compliant

SQJ488EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.76096 -
6,000 $0.72523 -
15,000 $0.69971 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 42A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 21mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 979 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

DMN601TK-7
DMN601TK-7
$0 $/pedaço
IXFH50N30Q3
IXFH50N30Q3
$0 $/pedaço
STW6N90K5
STW6N90K5
$0 $/pedaço
IRFR3710ZTRLPBF
FDN86501LZ
FDN86501LZ
$0 $/pedaço
FCP190N60-GF102
FCP190N60-GF102
$0 $/pedaço
FDB0165N807L
FDB0165N807L
$0 $/pedaço
DMN62D0UWQ-7

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