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FCP190N60-GF102

FCP190N60-GF102

FCP190N60-GF102

onsemi

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3

compliant

FCP190N60-GF102 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.66074 $1328.592
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 199mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 74 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2950 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 208W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FDB0165N807L
FDB0165N807L
$0 $/pedaço
DMN62D0UWQ-7
EPC2045
EPC2045
$0 $/pedaço
IPP60R160C6XKSA1
SI4408DY-T1-GE3
IXTH11P50
IXTH11P50
$0 $/pedaço
SIHG080N60E-GE3
R6507KNXC7G
R6507KNXC7G
$0 $/pedaço
SIHB33N60EF-GE3
DI9435T
DI9435T
$0 $/pedaço

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