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SQJ464EP-T2_GE3

SQJ464EP-T2_GE3

SQJ464EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

compliant

SQJ464EP-T2_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.41382 $0.41382
500 $0.4096818 $204.8409
1000 $0.4055436 $405.5436
1500 $0.4014054 $602.1081
2000 $0.3972672 $794.5344
2500 $0.393129 $982.8225
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 17mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2086 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IXTK102N65X2
IXTK102N65X2
$0 $/pedaço
STF2HNK60Z
STF2HNK60Z
$0 $/pedaço
FDS86242
FDS86242
$0 $/pedaço
IXFN210N20P
IXFN210N20P
$0 $/pedaço
FDS8813NZ
FDS8813NZ
$0 $/pedaço
IXFH18N100Q3
IXFH18N100Q3
$0 $/pedaço

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