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BSB028N06NN3GXUMA1

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MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON

não conforme

BSB028N06NN3GXUMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $1.07250 -
32 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 22A (Ta), 90A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 102µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 143 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 12000 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor MG-WDSON-2, CanPAK M™
pacote / caixa 3-WDSON
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Número da peça relacionada

IXTK102N65X2
IXTK102N65X2
$0 $/pedaço
STF2HNK60Z
STF2HNK60Z
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FDS86242
FDS86242
$0 $/pedaço
IXFN210N20P
IXFN210N20P
$0 $/pedaço
FDS8813NZ
FDS8813NZ
$0 $/pedaço
IXFH18N100Q3
IXFH18N100Q3
$0 $/pedaço
FDPF7N50

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