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SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8

compliant

SQJ457EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.42312 -
6,000 $0.40325 -
15,000 $0.38906 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 36A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

BSC889N03LSG
SISS80DN-T1-GE3
NTMFS5C670NLT3G
NTMFS5C670NLT3G
$0 $/pedaço
IXTR102N65X2
IXTR102N65X2
$0 $/pedaço
FQAF8N80
P3M171K0K3
STP46N60M6
STP46N60M6
$0 $/pedaço
NVTFS5C466NLTAG
NVTFS5C466NLTAG
$0 $/pedaço

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