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SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK

não conforme

SISS80DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.75000 $1.75
500 $1.7325 $866.25
1000 $1.715 $1715
1500 $1.6975 $2546.25
2000 $1.68 $3360
2500 $1.6625 $4156.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 58.3A (Ta), 210A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.92mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (máx.) +12V, -8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6450 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 65W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

NTMFS5C670NLT3G
NTMFS5C670NLT3G
$0 $/pedaço
IXTR102N65X2
IXTR102N65X2
$0 $/pedaço
FQAF8N80
P3M171K0K3
STP46N60M6
STP46N60M6
$0 $/pedaço
NVTFS5C466NLTAG
NVTFS5C466NLTAG
$0 $/pedaço
NVHL080N120SC1
NVHL080N120SC1
$0 $/pedaço
UF3C120150B7S
UF3C120150B7S
$0 $/pedaço

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