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SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8

compliant

SQJ416EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.39663 -
6,000 $0.37089 -
15,000 $0.35802 -
30,000 $0.35100 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IXTX40P50P
IXTX40P50P
$0 $/pedaço
STB35N60DM2
STB35N60DM2
$0 $/pedaço
IRLU024NPBF
FDD6670A_NL
SPP11N80C3XKSA1
APT6025SVRG
IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2
$0 $/pedaço
R6007JNXC7G
R6007JNXC7G
$0 $/pedaço
CSD19531Q5AT
CSD19531Q5AT
$0 $/pedaço
SIHB22N60ET5-GE3

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