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FDD6670A_NL

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N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

FDD6670A_NL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.80000 $0.8
500 $0.792 $396
1000 $0.784 $784
1500 $0.776 $1164
2000 $0.768 $1536
2500 $0.76 $1900
1112 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Ta), 66A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1755 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.3W (Ta), 63W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SPP11N80C3XKSA1
APT6025SVRG
IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2
$0 $/pedaço
R6007JNXC7G
R6007JNXC7G
$0 $/pedaço
CSD19531Q5AT
CSD19531Q5AT
$0 $/pedaço
SIHB22N60ET5-GE3
IRFR3411TRPBF
IPZ60R070P6FKSA1
ATP201-TL-H
ATP201-TL-H
$0 $/pedaço
NDD60N745U1T4G
NDD60N745U1T4G
$0 $/pedaço

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