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SQJ414EP-T1_BE3

SQJ414EP-T1_BE3

SQJ414EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

compliant

SQJ414EP-T1_BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.99000 $0.99
500 $0.9801 $490.05
1000 $0.9702 $970.2
1500 $0.9603 $1440.45
2000 $0.9504 $1900.8
2500 $0.9405 $2351.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 12mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1110 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

FDY101PZ
FDY101PZ
$0 $/pedaço
IXFN240N15T2
IXFN240N15T2
$0 $/pedaço
HUF76419D3ST
SIHF9630S-GE3
SIHF9630S-GE3
$0 $/pedaço
IRFSL7540PBF
STH6N95K5-2
STH6N95K5-2
$0 $/pedaço
SUD23N06-31-BE3
IRL640A
IRL640A
$0 $/pedaço
RM3010S6
RM3010S6
$0 $/pedaço

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