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IAUC120N04S6L012ATMA1

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não conforme

IAUC120N04S6L012ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.03000 $2.03
500 $2.0097 $1004.85
1000 $1.9894 $1989.4
1500 $1.9691 $2953.65
2000 $1.9488 $3897.6
2500 $1.9285 $4821.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.21mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 60µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4832 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 115W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IRL640A
IRL640A
$0 $/pedaço
RM3010S6
RM3010S6
$0 $/pedaço
DMN2055U-7
DMN2055U-7
$0 $/pedaço
STF8N65M5
STF8N65M5
$0 $/pedaço
IXTA140N12T2
IXTA140N12T2
$0 $/pedaço
STD7N65M2
STD7N65M2
$0 $/pedaço
IPD60R1K4C6ATMA1
IXFH16N120P
IXFH16N120P
$0 $/pedaço

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